Wafer Dicing – präzise Vereinzelung von Glaswafern
Präzises Scribe & Break
Beim Wafer Dicing werden Wafer präzise in einzelne Bauteile vereinzelt. Das Verfahren kommt unter anderem bei der Herstellung von Mikrooptiken, MEMS-Bauteilen, Sensoren und mikrofluidischen Komponenten zum Einsatz.
ChiemLas bietet ein trockenes, berührungsloses Verfahren zur präzisen Vereinzelung von Glaswafern an. Dabei kombinieren wir die laserbasierte nanoPerforation mit einem speziell entwickelten Scribe-&-Break-Verfahren.
Im Gegensatz zum klassischen Blade-Dicing erfolgt die Trennung ohne den Einsatz von Kühlflüssigkeiten. Das Verfahren eignet sich insbesondere für dünne, beschichtete und empfindliche Glaswafer und ermöglicht eine hohe Schnittkantenqualität bei geringer Partikelbildung. Die vereinzelten Bauteile können anschließend mithilfe von Dicing-Tape und Wafer Expander für nachfolgende Inspektions- oder Pick-and-Place-Prozesse vorbereitet werden.
Für eine effiziente Vereinzelung und einfaches Handling wird der Wafer auf Dicing-Tape montiert und anschließend mit dem Wafer Expander bearbeitet. Das Gerät dehnt das Tape schonend, sodass die einzelnen Dies getrennt und stabilisiert werden – optimal für nachgelagerte Pick-and-Place-Prozesse oder Inspektionsschritte.
Dieser trockene, kontaktfreie Prozess eignet sich besonders für Dünnglas und beschichtete Wafer und bietet folgende Vorteile:
- Partikelfreie Vereinzelung ohne den Einsatz von Kühlflüssigkeiten
- Hervorragende Kantenqualität mit minimalem Ausbrechen
- Keine thermischen Schäden oder Wärmeeinflusszonen
- Skalierbarkeit für die Hochdurchsatzfertigung
- Exzellente Kompatibilität mit ultradünnem Glas und Multilayer-Substraten
Im Vergleich zum herkömmlichen Laserschneiden ermöglicht unser Scribe-&-Break-Verfahren die Herstellung von extrem kleinen Bauteilen im Sub-Millimeter-Bereich durch die Kombination von nanoPerforation und gezieltem Break.
Der Dry Dicing Process eignet sich für zahlreiche High-Tech-Anwendungen, darunter:
- Präzise Vereinzelung mikrofluidischer Chips aus Glaswafern
- Wafer-Dicing in der Halbleiterproduktion, etwa für Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) sowie III-V-Materialien wie Aluminium-Nitrid (AlN) und Indiumphosphid (InP)
- Maßgenaue Trennung photonisch integrierter Schaltungen (PICs)
- Dicing von MEMS-Wafern und Flachbildschirm-Substraten
- Vereinzelung von optischen Komponenten für AR/VR-Anwendungen, selbst bei komplexen Beschichtungen oder empfindlichen Materialien
Dieser kontaktfreie, trockene Prozess gewährleistet exzellente Kantenqualität, minimiert Partikelbildung und ist kompatibel mit ultradünnen, beschichteten oder mehrschichtigen Substraten.
